题目内容
（请给出正确答案）
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
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B.界面两边形成的都是耗尽层
C.界面两边形成的都是积累层
D.界面两边形成的都是反型层
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
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D.半导体材料的表面吸附
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱
B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的
C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)
D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
