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[主观题]
下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－4V，计算ID和UDS的值。
下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)=-4V，计算ID和UDS的值。
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在下图所示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG=1MΩ，RS=10kΩ，在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数，IDSS=0.9m，UGS(off)2=-4V，gm=1.5mA/V，试求静态作点及电压放大倍数
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已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
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电路如题图E6-29所示，结型场效应管JFET的IDSS=2mA，Ucs=-2V。
(1)求静态电流IDQ和静态偏压UCSQ;
(2)画出等效交流电路，并求出ri，r0和Au。
在下图所示的电路中，试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态)？
由555定时器及场效应管T组成的电路如下图所示，电路中T工作于可变电阻区，其导通电组为RDS。
（1）说明电路功能；
（2）写出输出vo频率的表达式。
