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[判断题]

空穴和电子一样,都是载流子。()

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第1题
半导体中运载电荷的载流子是电子和空穴。()
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第2题
P型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。()
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第3题
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第4题
N型半导体多数载流子是()

A.空穴

B.质子

C.电子

D.中子

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第5题
在热平衡时,也就是在给定温度下,没与任何外加刺激,流经p-n结的电子和空穴净值为()。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.零

D.电荷

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第6题
关于自由载流子吸收,以下说法正确的是?()

A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于:电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行

B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于:仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收,电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子

C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ,所以自由载流子吸收是红外吸收

D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带,称为自由载流子吸收

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第7题
按导电沟道分类,场效应管分为______和______场效应管。N沟道是以N型半导体作为______、电子型载
流子形成电流的场效应管。而P沟道则是以______作为导电沟道、空穴型载流子形成电流的场效应管。

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第8题
采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.带负电的电离受主杂质

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第9题
InSb的电子迁移率为7.5m2 (V·s),空穴迁移率为 0.075m2/(V·s),室温时本征载流子浓度为1.6X1016cm-3,试分别计算本征电导率、电阻率和最小电导率、最大电阻率。什么导电类型的材料电阻率可达最大?
InSb的电子迁移率为7.5m2(V·s),空穴迁移率为 0.075m2/(V·s),室温时本征载流子浓度为1.6X1016cm-3,试分别计算本征电导率、电阻率和最小电导率、最大电阻率。什么导电类型的材料电阻率可达最大?

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第10题
对NPN三极管来说,下列说法正确的是()。

A.当发射极正向偏置时,从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区

B.扩散到基区的电子全被空穴复合掉了

C.外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差

D.以上说法都错

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第11题
关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()

A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D.通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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