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多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路)，求电路中各支路电流IREF
。假设BJT的|VBE|=0.6V，β=∞，各管结面积相同。
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多路电流源电路如图P4.3所示,已知所有晶体管的特性均相同,UBE均为0.7V.试求Ic1、Ic2各为多少.
源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
MOS管的|VT|=0.8V，λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2，(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2，(W/L)T2·T3=30，VDD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时，确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1)，并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
负载r0设β＞1，求电流I0的值;在保证I0相同时，求T3的Re3的值，若r0=100千欧。试比较该电路与用Re3代替电路中r0的分立元件电路时两种电路的差别。设VCC=-VEE=10V，VBE=0.6V。
共基电路的交流通路如图题6.5.2所示，其中
。BJT的
，fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH。
