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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

三级硅管用于放大时的死区电压为（）V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第1题

对应于正向电流很小的外加正向电压叫死区电压，通常硅管的死区电压为（)V。

A.0.1

B.0.2

C.0.3

D.0.5

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第2题

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第3题

硅二极管的死区电压一般为（)伏。

A. 0.3

B. 0.4

C. 0.5

D. 0.6

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第4题

硅材料二极管的死区电压为（)伏。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.8

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第5题

三极管实现放大作用的外部条件是：___。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=-3.2V,Vc=

-3.9V,这___管（硅、锗），___型，集电极管脚是___。

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第6题

电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是（）。

A、

B、

C、

D、

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第7题

当硅二极管正向导通时，两端电压为（)V。

A.0.1～0.2

B.0.2～0.4

C.0.4～0.6

D.0.6～0.7

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第8题

硅二极管的死区电压约为（)。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第9题

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少

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第10题

图NT5-3所示三级单回路变容管间接调频电路中，电阻R1和三个电容C1构成积分电路。已知:变容管的参

数n=3，V_B=0.6V，回路的等效品质因数Q_c=20，输人高频电流i_s=cos10⁶t(mA),调制电压的频率范围为300~4000Hz，要求每级回路的相移不大于30°。

试求：(1)调制信号电压振幅V_Ωm;(2)输出调频电压振幅V_om;(3)最大频偏Δfm;(4)若R₁改为470Ω，电路功能有否变化？

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第11题

在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=5V，U2=1.2V，U3=0.5V，则可知该管为（）

A.NPN锗管

B.NPN硅管

C.PNP锗管

D.PNP硅管

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