题目内容
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[单选题]
对于沟道长度足够短的MOSFET，其饱和区漏源电流（）。
A.∝(VGS-VT)2
B.∝W/L
C.∝L
D.∝Cox
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已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确
成图NP4-13(b)所示模拟相乘器，已知各管工作于饱和区，沟道长度调制效应忽略不计，输出电流i=i1-i2，试证:
。
