题目内容
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[单选题]
测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（)。
A.可变电阻区
B.预夹断临界点
C.截止区
D.饱和区
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饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
