题目内容
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[单选题]
霍尔电势的不等位电势产生的主要原因不包括（)。
A.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
B.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
C.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
D.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触
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A.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
B.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
C.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
D.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触
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A.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
A.金属材料电子浓度很高，RH很大，UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏
B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质
C.漏极电流增大而形成雪崩击穿
D.发射出光子，形成光发射电流
A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料
B.减小霍尔元件的厚度，可以提高其灵敏度
C.如果霍尔片两端的电压为E，那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值
D.金属可用于制作霍尔元件
