题目内容
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[单选题]
n沟增强型MOSFET源端接地,工作在可调电阻区时,以下说法错误的是()。
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系
D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大
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A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系
D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大
A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
饱和区,可变电阻区,预夹断临界点或截止)。
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确