A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态
A.复合中心能级在禁带中线附近时,最有利于复合
B.复合中心的存在延长了少子的寿命
C.复合中心是浅能级杂质
D.复合中心能级在费米能级附近时,最有利于复合
设单粒子能级的定态波函数是的本征态,记为能级与m无关,为重简并,设有两个全同粒子处于此能级上。证明:(a)交换对称态和反对称态的数目分别为(j+1) (2j+1)和j (2j+1),(b)无论粒子是Bose子或Fermi子,体系的角动量J必为偶数。