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[主观题]

场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,,Rg3

=2M,Rd=10千欧,R=2千欧,Cb1=1μF,Cb2=1μF,RL=100千欧,。试运用SPICE进行如下分析计算:(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz,幅值为10mV的正弦信号,观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益,电流增益,输入电阻及输出电阻。

场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,

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第1题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第2题
源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=1千欧
,场效应管参数为VTP=-2V,Kp=5mA/V2,λ=0。试求:(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

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第3题
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共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH

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第4题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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第5题
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电路如图题7.1.5所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。同时作为T3的有源

负载r0设β>1,求电流I0的值;在保证I0相同时,求T3的Re3的值,若r0=100千欧。试比较该电路与用Re3代替电路中r0的分立元件电路时两种电路的差别。设VCC=-VEE=10V,VBE=0.6V。

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第6题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电

源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。

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第7题
电路如图题7.2.5所示,电路参数如图所示,已知JFET的IDSS=4mA,VTP=-2V,T1、T2
电路如图题7.2.5所示,电路参数如图所示,已知JFET的IDSS=4mA,VTP=-2V,T1、T2的gm=1.41mS,电流源电路T3的gm3=2mS,电流源的动态电阻RAB=2110千欧。(1)求电路Aed2、Aec2(从d2输出时)和KcCMR2;(2)当vi1=50mV,vi2=10mV时,求v02等于多少? (3)求差模输入电阻Rid,共模输入电阻Ric和输出电阻R02

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第8题
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R
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d=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is

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第9题
一他激式锯齿波发生器电路如图题9.8.11所示,设运放是理想的,试定性画出在图示v1波形作用
下输出电压v0的波形。

提示:场效应管T在这里起着开关作用。

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第10题
共源放大电路如图LT4-14(a)所示,已知场效应gm=1mS,rd=200kΩ.(1)画出交流等效电路.(2)
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