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[主观题]

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE(on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE（on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

度升高40℃时的I_CQ与V_CEQ值。

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，VBE（on)=0.7 V，ICBO=10-1

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第1题

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,V_BE(on)=0.7V,I_CBO=10^-15A,试求:室

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,V_BE（on)=0.7V,I_CBO=10^-15A,试求:室

温下I_CQ、VC_EQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下V_CEQ值,并分析其工作模式.

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE（on)=0.7V,ICBO=10-15

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第2题

在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当v_S由ImV变到10V时,在室温下相应

在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证: 在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室。已知10kΩ,试问:当v_S由ImV变到10V时,在室温下相应v_O的变化范围是多少？设各集成运放是理想的，各品体管特性相同。

在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室

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第3题

电路如题图6-2所示，已知三极管为硅管，U_BE=0.7V，β=50，I_C_BO忽略不计，若希望I_c=

2mA，试求(a)图的R和(b)图的R_b值，并将两者比较。

电路如题图6-2所示，已知三极管为硅管，UBE=0.7V，β=50，ICBO忽略不计，若希望Ic=2

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第4题

在图9.15所示放大电路中，已知RC=2kΩ，RE=2kΩ，硅晶体管的β=30，rbe=1kΩ，试画出该放大电路的微变等效电路，推导

在图9.15所示放大电路中，已知R_C=2kΩ，R_E=2kΩ，硅晶体管的β=30，r_be=1kΩ，试画出该放大电路的微变等效电路，推导出由集电极输出和由发射极输出时的电压放大倍数，求出U_i=1mV时的U_o1和U_o2。

在图9.15所示放大电路中，已知RC=2kΩ，RE=2kΩ，硅晶体管的β=30，rbe=1kΩ，试画

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第5题

在下图（a)所示电路中，已知晶体管为硅管，β=100，厄尔利电压|VA|=100V，其他参数已标在图中。试求管子的静态电流

在下图(a)所示电路中，已知晶体管为硅管，β=100，厄尔利电压|V_A|=100V，其他参数已标在图中。试求管子的静态电流I_BQ、I_CQ、I_EQ和电压V_CEQ的值，画出小信号交流等效电路并计算等效电路中的参数r_π、g_m和r_ce的值。

在下图（a)所示电路中，已知晶体管为硅管，β=100，厄尔利电压|VA|=100V，其他参数已标在图

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第6题

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的在图LT3-4所示电路中,已知VGS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计, 沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

在图LT3-4所示电路中,已知VGS（th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,

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第7题

在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求

在图LT4-13（a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的（1)计算（2)画出交流等效电路.（3)求

在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的在图LT4-13（a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的（1)计算（2)画出交流等效电 (1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求

在图LT4-13（a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的（1)计算（2)画出交流等效电

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第8题

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_（on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE（on)可忽略。试用开关函数求i 晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i_c=(i_c1-i_c2)值。

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE（on)可忽略。试用开关函数求i

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第9题

在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R₂+R₃)/R₃VT.已知V_R=7V,R₁

在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=（R₂+R₃)/R₃VT.已知V_R=7V,R₁

在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证: 在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=（R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1 ,其中τ=(R₂+R₃)/R₃VT.已知V_R=7V,R₁=10kΩ,R₂=15.7kΩ,R₃=1kΩ,R₅=10kΩ,试问:当υ_s由1mV变到10V时,在室温下相应υ₀的变化范围是多少？