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温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
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度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:
。已知
10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室温下相应vO的变化范围是多少？设各集成运放是理想的，各品体管特性相同。
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的
(1)计算
(2)画出交流等效电路.(3)求
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:
,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当υs由1mV变到10V时,在室温下相应υ0的变化范围是多少？
设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.
信号功率Pd;(2)功率增益Pc/PAS值，其中PAS=V2S/4RS;(3)电路成为振荡器的条件。
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,
(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2;
(2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;
(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.
在图NPS3-1(a)所示振荡电路中，已知
，变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEF=4mA。(1)试分析电路，观察并记录两晶体管集电极输出电压波形，并由T2管集电极输出波形，计算振荡频率。(2)若将IEF改为2mA，再做(1)的分析和记录，并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。
(1)最大输出功率Pom和效率ƞ各为多少？
(2)晶体管的最大功耗PTmax为多少？
(3)为了使输出功率达到Pom,输入电压的有效值约为多少？
图p9.2
室温下(T=300K)二极管两端输出的总噪声均方值电压.已知BWn=1kHz,
很小,可忽略不计.
