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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

即使导通瞬间电流大于通态平均电流，过大的电流上升率也会使控制极附近PN结因电流密度过大发生过热而导致元件损坏。（)

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第1题

可控硅导通后，流过可控硅的电流决定于（)。

A.外电路的负载

B.可控硅的通态平均电流

C.可控硅A—K之间的电压

D.触发电压

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第2题

二极管正向电压大于死区电压后，正向（)开始明显增加，并且随着正向电压加大，二极管呈现充分导通状态。

A.电阻

B.电势

C.电荷

D.电流

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第3题

晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（)。

A.维持电流

B.擎住电流

C.浪涌电流

D.额定电流

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第4题

通入足够的电流，能在瞬间即起爆的雷管为（)。

A.瞬发电雷管

B.毫秒延期电雷管

C.秒延期电雷管

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第5题

瞬发电雷管的引火装置为直插式，当通入足够的电流后，电流通过桥丝产生的电阻热，瞬间点燃并起爆正起爆药，继而引爆副起爆药。（)

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第6题

IGBT在较大电流时，通态电压比MOSFET高。（)

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第7题

图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i1，电流波形的峰值为Im1。计算电流波形的平均值Id1与有效值

I1。

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第8题

数字万用表测量二极管显示“0.6”的含义是（)。

A.导通电压

B.导通电阻

C.导通电流

D.导通时间

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第9题

在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间，加大触发电流（两倍以上)这个电流称为（)。

A. 触发电流

B. 强触发电流

C. 掣位电流

D. 导通电流

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第10题

图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i3，电流波形的峰值为Im3。计算电流波形的平均值Id3与有效值

I3。

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第11题

关于通角θ的说法正确的是（)。

A.θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度

B.θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度的一半

C.θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度的两倍

D.θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度的三倍

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