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[主观题]

电路如图题5.7.6所示，其中V_DD=+5V，R_ai=100kN，R_g1=R_g2=10MN，R_n=6.8kQ，R_e

=3 kS，R_L=1，BJT的V_BE=0.7V，β=200，MOS管的V_TS=1V，K_n=1mA/V²。对交流信号，电容C_b1、C_b2，C_b3均可视为短路。(1)分别求解两管的静态电流，即T₁管的I_DQ、T₂管的I_CQ。(2)画出该电路的交流通路。(3)求该电路的电压增益A_P、输入电阻R_i和输出电阻R₀。

电路如图题5.7.6所示，其中VDD=+5V，Rai=100kN，Rg1=Rg2=10MN，Rn=6

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第1题

已知电路形式如图题4.8.6a所示，其中管子输出的特性如图题4.8.6b所示，电路参数改为R_d=25 千

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=2M，R_d=10千欧，R=2千欧，C_b1=1μ_F，C_b2=1μ_F，R_L=100千欧，。试运用SPICE进行如下分析计算：(1)求电路的静态工作点;(2)输入v_i频率为1kHz，幅值为10mV的正弦信号，观察v_i及v₀的波形;(3)求小信号电压增益，电流增益，输入电阻及输出电阻。

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第3题

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第4题

源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为K_n=mA/V₂，V_TS=1.2/V，λ=0。电路参数

为V_DD=V_SS=5V，R_g=500千欧，R_L=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益A_g=v₀/v₁和输出电阻R₀。

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第5题

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，场效应管参数为V_TP=-2V，K_p=5mA/V₂，λ=0。试求：(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

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第6题

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已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电

源电压V_DD，静态栅源电压V_GS，漏极电流I_DQ和漏源电压V_DSQ值;(2) 已知R_g1=200kQ，R_g2等于多少？(3) R_d、R_L的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度V_om(设v_i为正弦信号)。

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第7题

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MOS管的|V_T|=0.8V，λ=0.01v^-1。NMOS管的K_n=80μA/V₂，(W/L)T₁=15;PMOS管的K_n=40μA/V₂，(W/L)T₂·T₃=30，V_DD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻R_REF的电流为0.2mA时，确定电阻R_REF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v₀=f(v₁)，并求当v_o位于中点时对应的v₁值;(3)求小信号电压增益。

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第8题

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第9题

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第10题

试判断如图2.11所示的电路能否按各图所要求的逻辑关系正常工作？若不能正常工作,请做相应的改动

.若电路接法有错,改电路:若电路正确但给定的逻辑关系不对,则写出正确的逻辑表达式.能正常工作的在图中括号内打“√",否则打“x".已知TTL门的I_OH=0.4mA,I_OL=10mA,U_OH=3.6V,U_OL=0.3V,CMOS门的V_DD=5V,U_OH=5V,U_OL=0V,I_OH=0.51mA,I_OL=0.51mA.