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[主观题]
电路如图题5.7.6所示,其中VDD=+5V,Rai=100kN,Rg1=Rg2=10MN,Rn=6.8kQ,Re
=3 kS,RL=1,BJT的VBE=0.7V,β=200,MOS管的VTS=1V,Kn=1mA/V2。对交流信号,电容Cb1、Cb2,Cb3均可视为短路。(1)分别求解两管的静态电流,即T1管的IDQ、T2管的ICQ。(2)画出该电路的交流通路。(3)求该电路的电压增益AP、输入电阻Ri和输出电阻R0。
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d
=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的
,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH。
电路? (2)电压增益的表达式及它的最大值;(3)转折频率的大小。