已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解Au,ri和ro。
电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。
图3-21
已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.
已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和电流IDSS约为多少?
晶体管放大电路如图15.16(a)所示,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ,晶体管的β=40。(1)试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;(2)如晶体管的输出特性如图15.16(b)所示,试用图解法作放大电路的静态工作点;(3)在静态时(ui=0)C1和C2上的电压各为多少?并标出极性。