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根据晶体生长扩散学说,晶体的生长包括()、()和()三个过程。

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第1题
根据晶体成核即晶体生长方式的不同可将助熔剂生长宝石的方法分为自发成核法和仔晶生长法两类。()
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第2题
根据晶体生长的布拉维法则,晶体上的实际晶面为()。

A.生长速度最快的面网

B.垂直于面网密度大的面网

C.面网密度最小的面网

D.平行于面网密度大的面网

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第3题
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()

A.晶体生长速度大大超过晶核生成速度

B.晶体生长速度大大低于过晶核生成速度

C.晶体生长速度等于晶核生成速度

D.以上都不对

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第4题
冷坩埚法合成装置中冷却装置的作用是()

A.使熔体缓慢冷却以便结晶

B.控制晶体生长速度

C.减少晶体内应力

D.防止外层原料熔化

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第5题
SiHCI3还原法制备晶体硅,在生产过程中不需要控制()

A.反应温度在280°C~300C之间

B.硅粉与HCI在进入反应炉前要充分千

C.晶体生长速度

D.合成时加入少量的催化剂,可降低温度

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第6题
以下晶体生长方法不是熔体生长单晶方法的是()。

A.水热法

B.区域熔炼法

C.液相外延法

D.拉提法

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第7题
焰熔法生长宝石晶体生长过程可分为三个阶段,其中不包括()

A.生长晶芽

B.扩大放肩

C.等径生长

D.提拉生长

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第8题
水热法生长宝石晶体生长按输运方式为三种类型,,其中使用最广泛的方法是()

A.提拉法

B.温差法

C.摆动法

D.缓冷法

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第9题
水热法生长宝石晶体生长按输运方式不同可分其中不包括()

A.温差法

B.摆动法

C.缓冷法

D.缓热法

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第10题
矿物晶体的形成过程包括()。
矿物晶体的形成过程包括()。

A.成核

B.成形

C.介质饱和

D.生长

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