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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?()

A.Na+

B.K+

C.Na+和K+

D.Ca2+

E.Cl-

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第1题
抑制性突触后电位产生,是由于突触后膜提高了对()的通透性。

A.钾、钠、氯离子,尤其是钾离子

B.钾、钠、氯离子,尤其是钠离子

C.钙、钾、氯离子,尤其是钾离

D.钾、氯离子,尤其是氯离子

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第2题
抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性()

A.Na+、K+,尤其是对K+

B.a2+、K+,尤其是对Ca2+

C.Na+、K+,尤其是对Na+

D.K+、Cl-,尤其是对Cl-

E.K+、Ca2+,尤其是对Ca2+

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第3题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()

A.Na+、C1-、K+,尤其是K+

B.Ca2+、K+、C1-,尤其是Ca2+

C.Na+、K+,尤其是Na+

D.C1-和K+、主要是CI-

E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

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第4题
抑制性突触后电位(IPSP)是由于突触后膜对离子的通透性增加,该离子指的是()

A.Na+

B.Mg2+

C.K+

D.Cl-

E.Ca2+

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第5题
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是()

A.突触后膜均去极化

B.突触前膜均去极化

C.突触前膜释放的递质性质一样

D.突触后膜对离子通透性一样

E.产生的突融后电位最终效应一样

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第6题
突触前抑制的产生是由于:()。

A.前膜超极化

B.前膜释放抑制性递质

C.引起抑制性突触后电位

D.前膜兴奋性递质释放减少

E.前膜不能去极化

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第7题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()

A.突触前轴突末梢去极化

B.a2 斗由膜外进入突触前膜内

C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高

E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

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第8题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()

A.突触前轴突末梢去极化

B.a2+由膜外进入突触前膜内

C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

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第9题
抑制性突触后电位的产生主要与哪种离子跨突触后膜内流有关()

A.Na+

B.a2+

C.K+

D.l—

E.Mg2+

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第10题
抑制性突触后电位的产生过程不包括()

A.突触前膜的预先去极化

B.突触后膜超极化

C.突触后膜的兴奋性降低

D.抑制性中间神经元兴奋

E.有抑制性神经递质的释放

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