题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A.正,电离施主杂质
B.正,电离施主杂质和空穴
C.负,电离受主杂质
D.负,电离受主杂质和电子
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A.正,电离施主杂质
B.正,电离施主杂质和空穴
C.负,电离受主杂质
D.负,电离受主杂质和电子
A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术
B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成
C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上
D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用