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题目内容 (请给出正确答案)
[填空题]

P结形成后,在结区形成内建电场,电场的高电压在()区,在该电场的作用下载流子的运动称为(),而另外一种由于粒子浓度不同发生的运动形式称为();从能级的角度来讲,区的费米能级()(升高或降低),P区与之相反,最后达到费米能级的平衡,但是此时还不具备发光的条件并不能发光,原因是()。需要给P结加向偏压,即P接(),才能发光。

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第1题
关于PN结说法正确的是()。

A.利用杂质补偿原理,在P型和N型半导体的界面上形成PN结

B.在PN结的界面上发生载流子的扩散;由于复台作用,界面上载流子被耗尽

C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区

D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反,最终阻止载流子的进一步移动

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第2题
在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动,P区的()向N区运动。
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第3题
在足够能量的光照耀太阳电池外表时,在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动,P区的()向N区运动。
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第4题
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

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第5题
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

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第6题
在足够能量的光照条件,晶体硅太阳能电池板在PN结的内建电场作用下,N区的( )向P区运动,P区的( )向N区运动
在足够能量的光照条件,晶体硅太阳能电池板在PN结的内建电场作用下,N区的()向P区运动,P区的()向N区运动

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第7题
pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。()
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第8题
单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

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第9题
在足够能量的光照条件,晶体硅太阳能电池板在PN结的建电场作用下,N区的向P区运动,P区的()向N区运动

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第10题
光电二极管的工作与原理是:当具有足够能量的______撞击PN结耗尽区的原子时,激发出______。在内电场作用下电子漂移到阳极,空穴漂移到阴极,形成______。

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第11题
推导出线性缓变PN结的下列表示式:(1)电场分布;(2)电势分布;(3)耗尽层宽度;(4)内建电势差.

推导出线性缓变PN结的下列表示式:(1)电场分布;(2)电势分布;(3)耗尽层宽度;(4)内建电势差.

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