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[单选题]

动态RAM的基本存储电路,是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失,必须定时给电容补充电荷,这一操作称为()。

A.刷新

B.存储

C.充电

D.放电

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第1题
动态MOS存储单元存储信息的原理是利用栅极具有()的作用.半导体RAM的典型结构由三部分组成:()、()和().

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第2题
下列属于动态RAM特点的是()。

A.存储内容动态变化

B.需要定时刷新

C.存储的数据具有非易失性

D.可以不按地址进行访问

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第3题
下列关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是()

A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据无须“刷新”

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第4题
下列关于静态RAM与动态RAM的说法中,错误的是()。

A.静态RAM基本存储单元体积大,成本高,但读写速度快

B.动态RAM基本存储单元体积小,成本低,但读写速度慢

C.动态RAM需要定期刷新

D.静态RAM主要用于构成主存

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第5题
目前电子控制技术在汽车上的应用中,汽车电控系统中的电子控制单元(ECU)()是不正确的。

A.包含输入输出电路

B.包含传感器

C.内部存有工作程序

D.故障码存储在RAM中

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第6题
在计算机术语中经常用RAM表示()。A.只读在座器B.可编程只读存储器C.动态随机存储器D.随机存取存储

在计算机术语中经常用RAM表示()。

A.只读在座器

B.可编程只读存储器

C.动态随机存储器

D.随机存取存储器

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第7题
容量为16K×8的动态RAM。(1)该动态RAM有多少个基本存储单元?(2)该动态RAM有多少根数据引线?(3)该动态RAM有多少根地址引线?

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第8题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。

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第9题
将一个包含有16384个基本存储单元的存储电路设计成4096个字节的RAM。(1)该RAM有多少个地址?(2)该RAM有多少条数据读出线?

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第10题
电路如图题5.7.6所示,其中VDD=+5V,Rai=100kN,Rg1=Rg2=10MN,Rn=6.8kQ,Re
=3 kS,RL=1,BJT的VBE=0.7V,β=200,MOS管的VTS=1V,Kn=1mA/V2。对交流信号,电容Cb1、Cb2,Cb3均可视为短路。(1)分别求解两管的静态电流,即T1管的IDQ、T2管的ICQ。(2)画出该电路的交流通路。(3)求该电路的电压增益AP、输入电阻Ri和输出电阻R0

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