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[单选题]
关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质
C.对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质
D.对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质
A.P型半导体和N型半导体材料本身带电
B.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电
D.P型半导体中，多数载流子为空穴，它不带电
A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料
B.减小霍尔元件的厚度，可以提高其灵敏度
C.如果霍尔片两端的电压为E，那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值
D.金属可用于制作霍尔元件
A.新材料有利于传感器小型化
B.新材料、新工艺使得传感器技术越来越成熟
C.现代传感器朝着光机电一体化的方向发展
D.金属材料、半导体材料、光纤材料、纳米材料都是传统传感器材料
