题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不
计.(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成.(2)写出R1、R0、Av的表达式.
查看答案
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。。
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求值.
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。
d
=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。