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第1题
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
在图LT4-13（a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的（1)计算（2)画出交流等效电路.（3)求
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在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的
(1)计算
(2)画出交流等效电路.(3)求
第2题
场效应管共源极电路如图题4.11.3所示，其中VDD=20V，Rg1=300千欧，Rg2=15千欧，，Rg3
=2M，Rd=10千欧，R=2千欧，Cb1=1μF，Cb2=1μF，RL=100千欧，。试运用SPICE进行如下分析计算：(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz，幅值为10mV的正弦信号，观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益，电流增益，输入电阻及输出电阻。
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第4题
在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27，MOS管的
Cgm=0.3 pF，Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH＞10MHz，试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。
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第8题
放大电路如图1所示，RG1=100K，RG2=50K，RD=3K，RL=3K;场效应管T的参数如下：Kn=0.25mA/V2，Vth=2V，r
ds=∞。(
)
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)1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ，VGSQ和VDSQ;
2) gm, 中频电压放大倍数Av，输入电阻Ri和输出电阻Ro;
第9题
共源放大电路如图LT4-14(a)所示,已知场效应gm=1mS,rd=200kΩ.(1)画出交流等效电路.(2)
共源放大电路如图LT4-14（a)所示,已知场效应gm=1mS,rd=200kΩ.（1)画出交流等效电路.（2)
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求
