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[主观题]
如图8-14所示,已知一均匀磁场的磁感应强度B=2.0T,方向沿x轴正向.试求(I)通过图中abed面的磁通
如图8-14所示,已知一均匀磁场的磁感应强度B=2.0T,方向沿x轴正向.试求(I)通过图中abed面的磁通量;(2)通过图中bcfe面的磁通感;(3)通过图中acfd面的磁通量。
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如图8-14所示,已知一均匀磁场的磁感应强度B=2.0T,方向沿x轴正向.试求(I)通过图中abed面的磁通量;(2)通过图中bcfe面的磁通感;(3)通过图中acfd面的磁通量。
一边长为l=0.15m的立方体如图放置在均匀磁场中,计算(1)通过立方体上阴影面积的磁通量;(2)通过立方体六面的总磁通量。
数字控制系统结构图如图8-14所示,采样周期T=1s。
(1)试求未校正系统的闭环极点,并判断其稳定性。
(2)xt(t)=t时,按最少拍设计,求D(z)表达式,并求X0(z)的级数展开式。
已知一采样系统如图8-5所示,其中,采样周期T=1s,试绘制W60W(jωn)的对数频率特性,判断系统的稳定性,求相角裕度Y(ωw1)。
质量为1kg的小球M,用两绳系住,两绳的另一端分别连接在固定点A,B,如题8-14图(a)所示。已知小球以速度v=2.5m/s在水平面内作匀速圆周运动,圆的半径r=0.5m,试求两绳的拉力。
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.
与直导体的轴平行,两轴相距为d。导体中有电流I沿轴向流过,并均匀分布在横截面上。试用安培环路定理求空腔中心的磁感应强度,你能证明空腔中的磁场是匀强磁场吗?