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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V。

在常温下，硅二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V;锗二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V。

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更多“在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为(…”相关的问题

第1题

在常温下，硅二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第2题

硅二极管的死区电压约为（)。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第3题

硅二极管死区电压为（）V。

A.0.1

B.0.5

C.1

D.1.2

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第4题

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少

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第5题

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第6题

硅二极管的死区电压一般为（)伏。

A. 0.3

B. 0.4

C. 0.5

D. 0.6

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第7题

硅材料二极管的死区电压为（)伏。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.8

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第8题

在常温下，硅二极管的开启电压和导通后在较大电流下的正向压降分别是（)。

A.0.1V;0.2V

B.0.5V;0.7V

C.0.2V;0.8V

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第9题

锗晶体二极管的死区电压约为0.2V，导通压降约为0.5V。（）

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第10题

三级硅管用于放大时的死区电压为（）V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第11题

常温下二极管的门限电压或阀电压，硅管一般为（)左右，锗管为（)左右。

A.0.5.0.1

B.0.1，0.5

C.0.2，0.7

D.0.7，0.2

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