题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下,其VT或VP值也已知,试判断该管工作在什么区域(
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下,其VT或VP值也已知,试判断该管工作在什么区域(
饱和区,可变电阻区,预夹断临界点或截止)。
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饱和区,可变电阻区,预夹断临界点或截止)。
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系
D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大