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i
=12mV(有效值)，信号源内阻Rei=1千欧，R1=R'1+Rei(R'1为电路外接电阻)，要求输出电压Vn=1.2V(有效值)，设计时该电路所有电阻小于500千欧。
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源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
d
=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
MOS管的|VT|=0.8V，λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2，(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2，(W/L)T2·T3=30，VDD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时，确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1)，并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
题5-7图(a)中作用在踏板上的铅垂力F1使得位于铅垂位置的连杆上产生的拉力F=400N，a=30°，a=60mm，b=100mm，c=120mm.求轴承A、B处的约束力和主动力F1.
非线性系统如图2-7-42所示,计算图中由x到y的非线性网络的描述函数,并用主教材式(7-91)求出图示非线性系统的周期运动的参数,用主教材式(7-93)判别周期运动的稳定性
