题目内容
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[单选题]
在异质结的界面处引入界面态的主要原因是？（)
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
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A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
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A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱
B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的
C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)
D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱
A.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层
B.界面两边形成的都是耗尽层
C.界面两边形成的都是积累层
D.界面两边形成的都是反型层
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
