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第1题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
第2题
已知图P2.16（a)所示电路中场效应管的转移特性如图（b)所示.求解电路的Q点和Au.
已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.
第3题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第5题
图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不
计.(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成.(2)写出R1、R0、Av的表达式.
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第6题
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，VDD=VSS=5V，Rg=100千欧，R
电路如图题4.5.5（主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，VDD=VSS=5V，Rg=100千欧，R
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d
=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
第7题
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求值.
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的
若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求
值.
第9题
电路如图P3.1（c)、（e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解A
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1
第10题
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
