首页 > 公务员> 中国梦
题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

关于导带中的电子,以下描述正确的是?()

A.准自由运动的电子

B.受共价键束缚的电子

C.受杂质束缚的电子

D.受价带束缚的电子

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“关于导带中的电子,以下描述正确的是?()”相关的问题
第1题
以下关于“简并半导体”的描述正确的是:()。

A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

点击查看答案
第2题
关于“非简并半导体”,以下说法正确的是:()。

A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D.导带中的电子服从费米分布函数

E.价带中的空穴服从费米分布函数

F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

点击查看答案
第3题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

点击查看答案
第4题
关于本征吸收,以下说法正确的是?()

A.是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

点击查看答案
第5题
关于自由载流子吸收,以下说法正确的是?()

A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于:电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行

B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于:仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收,电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子

C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ,所以自由载流子吸收是红外吸收

D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带,称为自由载流子吸收

点击查看答案
第6题
以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

点击查看答案
第7题
以下情况属于杂质电离的是?()

A.施主态上的电子跃迁到导带

B.受主态上的空穴跃迁到价带

C.价带的电子跃迁到导带

D.导带的电子跃迁到价带

点击查看答案
第8题
半导体材料,靠导带中的电子或空穴导电,导带中靠电子导电的半导体称为()半导体,导带中靠空穴导电的半导体称为()半导体。

点击查看答案
第9题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

点击查看答案
第10题
导带中的电子可能和价带中的空穴复合,释放出的能量以声子的形式发射出去,这一过程称为辐射复合。()
点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改