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更多“试解释满带、价带、导带、空带、禁带的含义，并用这些概念解释金…”相关的问题
第6题
关于本征吸收，以下说法正确的是？（)
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
第7题
关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（)
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
第9题
关于“非简并半导体”,以下说法正确的是：（)。
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D.导带中的电子服从费米分布函数
E.价带中的空穴服从费米分布函数
F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
