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[主观题]
电路如图3－21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
电路如图3-21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
图3-21
答案
Av、Ri和Ro的表达式分别为
Av=-gm(RD∥RL)， Ri=R3+R1∥R2， Ro=RD
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电路如图3-21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
图3-21
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Av、Ri和Ro的表达式分别为
Av=-gm(RD∥RL)， Ri=R3+R1∥R2， Ro=RD
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已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.
已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b)，(c) 所示。
(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解Au，ri和ro。
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是().
(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是().
(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是().
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1
电路如图P4.4所示,T1管的低频跨导为gm,T1和T2管d-s间的动态电阻分别为
和
试求解电压放大倍数
的表达式.
d
=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
